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SILICIUM

Le silicium (symbole Si, numéro atomique 14) ne se trouve pas à l'état natif, mais constitue, sous forme de silice et de silicates, l'élément le plus abondant (environ 28 p. 100), après l'oxygène, à la surface du globe (cf. silicates, silice). Son nom vient du latin silex : caillou. Antoine-Laurent Lavoisier avait soupçonné son existence en 1787, mais ce n'est qu'en 1823 que Jöns Jacob Berzelius l'isola dans un état de pureté suffisant pour pouvoir en aborder l'étude.

Le silicium cristallisé a un aspect métallique ; en raison de sa dureté, il polit le verre, mais il est poli par l'émeri. Sa densité est de 2,33 à 25 0C ; il fond à 1 410 0C et bout à 2 680 0C. On l'utilise de plus en plus pour l'obtention de semiconducteurs. En métallurgie, c'est un désoxydant des aciers et un élément d'alliages (fontes, aciers et alliages légers).

En raison des analogies des éléments silicium et carbone (C), on a très tôt (dès le xixe siècle et surtout au début du xxe siècle) songé à bâtir une chimie organique du silicium (chimie organosilicique). En fait, le silicium, plus volumineux et plus électropositif que le carbone, a donné naissance à une chimie organique spécifique, où son affinité pour l'oxygène tient une place prépondérante.

Le corps simple silicium

Compte tenu de la réactivité du silicium avec l'oxygène et de la grande stabilité des oxydes formés, on ne le trouve pas à l'état de corps simple dans la nature. Il est obtenu à partir de la silice, par réduction au four à arc utilisant des électrodes de graphite, généralement selon un procédé en continu et à des températures variant entre 1 600 et 1 800 0C. Il est récupéré par coulée. Une variante de ce procédé travaillant à plus basse température fait appel à l'aluminothermie. On peut estimer entre 500 000 et 1 million de tonnes la production mondiale annuelle de silicium. Selon ses applications, on distingue divers degrés de pureté et de mise en forme :

– une pureté « électronique », nécessitant des processus successifs de purification fondés sur le procédé de la fusion de zone (différence de solubilité des impuretés entre le silicium liquide et le silicium solide), ou la distillation fractionnée, après volatilisation du silicium sous forme de dérivés hydrohalogénés liquides tels que SiHCl3 ; cette pureté est de l'ordre du ppb (partie par milliard) atomique ; elle s'exprime également par nombre d'atomes d'impuretés par centimètre cube de silicium : 1 ppb ≈ 0,5 × 1013 atomes /cm3 ;

– une pureté « solaire » qui, pour les éléments courants, est de l'ordre du ppm (partie par million) ;

– une pureté métallurgique, qui est généralement de l'ordre du pour-cent.

Ces trois types d'applications induisent des mises en forme très diverses de matériaux. 1) Élaboration de monocristaux de très grande dimension, de très grande pureté (ppb) et d'une quasi-perfection cristalline pour les besoins automatisés et de grande fiabilité de l'industrie électronique (diodes, transistors, circuits intégrés, microprocesseurs, etc.) dont le degré d'intégration (nombre de composants par unité de surface) a crû très rapidement au cours des vingt dernières années (de l'ordre de 106 par « puce » élémentaire, c'est-à-dire quelques millimètres carrés), tandis que le coût de ces composants décroît par ailleurs très rapidement. Ces monocristaux sont obtenus par tirage à partir d'un bain fondu par la méthode dite de Czochralski, qui utilise des creusets de silice également de grande pureté. Leur dimension peut aujourd'hui atteindre un diamètre d'environ 20 centimètres, pour un poids total de l'ordre de la centaine de kilogrammes. Leur perfection cristalline (absence de fautes d'empilement et de dislocations) en fait[...]

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Écrit par

  • : directeur de recherche au C.N.R.S., directeur du laboratoire de chimie organique et organométallique de l'université Bordeaux-I
  • : docteur ès sciences, professeur de chimie à l'université de Bordeaux-I, membre de l'Institut

Classification

Pour citer cet article

Jacques DUNOGUÈS et Michel POUCHARD. SILICIUM [en ligne]. In Encyclopædia Universalis. Disponible sur : (consulté le )

Média

Silicones méthylées : préparation - crédits : Encyclopædia Universalis France

Silicones méthylées : préparation

Autres références

  • DÉTECTEURS DE PARTICULES

    • Écrit par Pierre BAREYRE, Jean-Pierre BATON, Georges CHARPAK, Monique NEVEU, Bernard PIRE
    • 10 978 mots
    • 12 médias
    C'est le silicium et le germanium qui sont les deux éléments essentiels de ces détecteurs. La figure 8 montre la structure typique d'un détecteur à germanium. Celui-ci a un numéro atomique Z = 32 et une densité de 5,33 g/cm3, contre Z = 14 et une densité de 2,33 g/cm3 pour le...
  • ACIER - Technologie

    • Écrit par Louis COLOMBIER, Gérard FESSIER, Guy HENRY, Joëlle PONTET
    • 14 176 mots
    • 10 médias
    Le silicium se rencontre dans tous les aciers, avec de faibles teneurs, de l'ordre de 0,2 à 0,5 p. 100 : il est alors utilisé comme désoxydant. Il intervient parfois comme élément d'alliage avec de plus fortes teneurs, soit pour améliorer la limite élastique, soit pour accroître la résistance à l'oxydation,...
  • CIRCUITS INTÉGRÉS

    • Écrit par Frédéric PÉTROT, Franck WAJSBÜRT
    • 8 993 mots
    • 20 médias
    ...semi-conducteur – la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celles des métaux (bons conducteurs) et celle des isolants –, le plus souvent du silicium, sur lequel sont implantés les composants électroniques élémentaires (transistors, résistances, capacités, inductances) et...
  • CRISTAUX - Synthèse des cristaux

    • Écrit par Yves GAUTIER
    • 6 273 mots
    • 2 médias
    Le germanium et, surtout, le silicium sont les principaux semiconducteurs de synthèse. En 2000, la production mondiale de silicium avoisinait les 6 000 tonnes ; chiffre significatif qui fait parfois appeler notre époque, depuis l'utilisation de cet élément comme diode dans les postes à galène jusqu'aux...
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Voir aussi