SHOCKLEY WILLIAM BRADFORD (1910-1989)

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Né le 13 février 1910 à Londres, dans une famille américaine qui retourna aux États-Unis trois ans plus tard, William Bradford Shockley fit ses études supérieures au California Institute of Technology de Pasadena (Californie). Il soutint sa thèse sur la structure en bandes d'énergie du chlorure de sodium au Massachusetts Institute of Technology (MIT), sous la direction de John C. Slater, en 1936. Il rejoignit la même année les laboratoires de la compagnie Bell Telephone à Murray Hill (New Jersey). Directeur de la recherche pour les opérations de détection des sous-marins pendant la Seconde Guerre mondiale, il fut longtemps consultant du ministère de la Défense.

Après la guerre, il dirigea le groupe d'études des semi-conducteurs des laboratoires Bell. Avec son collaborateur George L. Pearson, il réussit en particulier à prouver l'« effet de champ », première manifestation d'une possible amplification par un semi-conducteur, puis participa par des expériences cruciales, menées avec Walter Brattain, à l'invention du transistor à pointes – pastille de germanium sur laquelle étaient posées deux pointes métalliques très rapprochées –, dont la demande de brevet fut déposée le 17 juin 1948. En 1949, il développa la théorie du transistor à jonctions, dont la fabrication deux ans plus tard inaugurera l'âge de l'électronique moderne. Il partagea le prix Nobel de physique 1956 avec Brattain et le théoricien John Bardeen. Il démissionna de son poste de directeur du département de physique des transistors des laboratoires Bell en 1955 pour développer le laboratoire Shockley des Instruments Beckman à Mountain View (Californie), dans ce qu'on allait bientôt appeler la Silicon Valley, et y inventa et produisit de nombreux nouveaux éléments électroniques à base de semi-conducteurs, obtenant plus de cinquante brevets industriels. En 1963, il est nommé professeur de sciences appliquées à l'université de Stanford (Californie). Il est mort le 12 août 1989 à Palo Alto (Californie).

Les travaux de William Bradford Shockley ont mêlé théorie et expérience en divers domaines de la physique du solide : dislocation, structure en domaines ferromagnétiques, théorie des tubes à vide, physique des transistors. Personnage exemplaire de la recherche industrielle de haut niveau, il aimait à affirmer que la motivation – économique ou académique – d'un travail de recherche était moins importante que le progrès de la connaissance qu'il pouvait apporter.

—  Bernard PIRE

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  • : directeur de recherche au CNRS, centre de physique théorique de l'École polytechnique, Palaiseau

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MISE AU POINT DU TRANSISTOR

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  • Bernard PIRE
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Le 23 décembre 1947, dans les laboratoires de la compagnie Bell Telephone, John Bardeen et Walter Brattain réussissent à faire fonctionner la première vanne électronique en utilisant trois cristaux de germanium. Ils l'appellent transfer resistor (résistance à tra […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/mise-au-point-du-transistor/#i_85131

Pour citer l’article

Bernard PIRE, « SHOCKLEY WILLIAM BRADFORD - (1910-1989) », Encyclopædia Universalis [en ligne], consulté le 18 février 2019. URL : http://www.universalis.fr/encyclopedie/william-bradford-shockley/