ESAKI LEO (1925- )

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Né le 12 mars 1925 à Ōsaka (Japon), Leo Esaki fait ses études supérieures à l'université de Tōkyō mais rejoint les laboratoires industriels avant d'obtenir son doctorat en 1959. Ingénieur chez Sony, il y développe le premier système électronique quantique : en 1958, il observe, dans des jonctions p-n de germanium très dopé, la pénétration d'un électron dans une zone interdite du solide, zone protégée par une barrière de potentiel classiquement insurmontable. Cet « effet tunnel » est de nature purement quantique. En 1960, Esaki construit une diode – la diode à effet tunnel qui porte son nom – dont le fonctionnement est fondé sur cet effet. Court-circuit pour un courant se propageant dans un sens, ce composant a une résistance effective négative. Ses caractéristiques très intéressantes – en particulier sa rapidité, sa petite taille et sa faible consommation – font adopter cette diode dans de nombreuses applications électroniques. En 1960, Esaki rejoint les laboratoires I.B.M. de Yorktown Heights (État de New York) et y invente de nombreux autres composants.

Le prix Nobel qu'il partage en 1973 avec Ivar Giaever et Brian D. Josephson célèbre la découverte de l'« effet tunnel » et l'application des effets quantiques dans les semi-conducteurs.

—  Bernard PIRE

Écrit par :

  • : directeur de recherche au CNRS, centre de physique théorique de l'École polytechnique, Palaiseau

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Pour citer l’article

Bernard PIRE, « ESAKI LEO (1925- ) », Encyclopædia Universalis [en ligne], consulté le 20 février 2019. URL : http://www.universalis.fr/encyclopedie/leo-esaki/