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ÉPITAXIE

Phénomène d'orientation mutuelle de cristaux de substances différentes dû à des analogies étroites dans l'arrangement des atomes des faces communes. Les lois de l'épitaxie ont été énoncées en 1928 par L. Royer. L'épitaxie n'est possible que s'il existe une maille plane, simple ou multiple simple, quasi identique en forme et en dimensions dans les deux réseaux et si les ions du cristal orienté, qui remplacent ceux du cristal support dans la croissance, sont de même signe qu'eux. L'épitaxie syngénétique comprend les cristaux mixtes isomorphes ou partiellement isomorphes et les syncristallisations eutectiques, soit originelles, soit par exsolutions telles que les pegmatites graphiques ou divers autres cas d'exsolutions : (HFe2O3H) à partir du feldspathaventurine, cancrinite à partir du wolfram, (FeTiO3) à partir du diallage, (HFe3O4) à partir du mica ou de la chlorite. Les paragenèses métallogéniques s'expliqueraient souvent par une épitaxie épigénétique où le cristal « dépôt » s'installe sur le support préexistant (rutile sur oligiste, CuFeS2 sur cuivre gris, PbCl2 sur PbS, pyrite sur marcassite), ou en est même expulsé (scheelite sur wolfram, rutile sur anastase, calcite sur aragonite). Les pseudomorphoses seraient des épitaxies secondaires.

On utilise cette propriété d'orientation mutuelle pour fabriquer des dispositifs à semiconducteurs (transistors, circuits intégrés). Pour cela on dépose, souvent par évaporation sous vide, une substance dopée sur un monocristal de la même substance pure. On obtient alors un monocristal présentant deux zones de dopage différent, séparées par une jonction.

— Alain Gil MAZET

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Écrit par

  • : diplômé d'études approfondies, géologue pétrographe

Classification

Pour citer cet article

Alain Gil MAZET. ÉPITAXIE [en ligne]. In Encyclopædia Universalis. Disponible sur : (consulté le )

Article mis en ligne le et modifié le 14/03/2009

Autres références

  • CORROSION

    • Écrit par et
    • 5 142 mots
    • 3 médias
    Une relation particulière d'orientation (épitaxie) associée à une plus grande perfection du réseau favorise le développement préférentiel des cristallites du film primaire qui possèdent cette orientation.
  • CRISTAUX - Synthèse des cristaux

    • Écrit par
    • 6 273 mots
    • 2 médias
    Ces méthodes permettent aussi la fabrication de semiconducteurs composites. On procède par épitaxie sous ultravide : le support est le silicium ou le germanium qui est chauffé à haute température, ce support est ensuite balayé par des vapeurs de composés d'éléments des groupes II, III, V et VI de la...
  • INTERFACES

    • Écrit par et
    • 8 287 mots
    • 8 médias
    ...fois des joints de grains séparant deux orientations différentes de la même phase et des interphases où il y a discontinuité de composition chimique. Certains corps, de composition chimique différente, peuvent avoir des paramètres cristallins si proches que le réseau se poursuit sans discontinuité entre...
  • MÉTALLOGRAPHIE - Essais physiques

    • Écrit par
    • 7 298 mots
    • 11 médias
    correspondant aux coefficients de dilatation cubique moyen et vrai, soit :
    avec :
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