DOPAGE, électronique

Articles

• CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par Frédéric PÉTROT, Franck WAJSBÜRT
  • 8 993 mots
  • 20 médias
  ...une faible conductibilité (c'est-à-dire une grande résistivité, proche de celle des isolants) qu'il est possible de contrôler par l'ajout d'impuretés. Elle peut ainsi varier de plusieurs ordres de grandeur si on y introduit, en très faibles quantités (à raison d'un atome pour 10 000), des atomes...

• HYPERFRÉQUENCES

  • Écrit par Louis DUSSON
  • 9 898 mots
  • 17 médias
  Une diode PIN se compose de trois parties : deux zones extrêmes p⁺ et n⁺ fortement dopées, et une région intermédiaire théoriquement intrinsèque, en pratique faiblement dopée (c'est la raison pour laquelle la dénomination PΠN est plus correcte) qui possède une faible conductivité.

• LASERS

  • Écrit par Yves LECARPENTIER, Alain ORSZAG
  • 10 742 mots
  • 4 médias
  Le« dopage » d'un semiconducteur consiste à lui ajouter des atomes possédant à leur périphérie un électron de plus ou de moins que le nombre de ceux du matériau de base. Cet excès (ou défaut) en électrons se traduit par un déplacement du niveau de Fermi : au sein du semiconducteur présentant un excès...

• MATIÈRE (physique) - État solide

  • Écrit par Daniel CALÉCKI
  • 8 629 mots
  • 12 médias
  ...fragiles s'ils ne contenaient pas de dislocations. Dans le silicium on remplace un atome sur 10 ou 100 millions par des atomes d’arsenic ou de bore pour fabriquer les jonctions des diodes ou des transistors ; on dit qu'ondope le semi-conducteur avec des défauts « donneurs » ou « accepteurs ».

• MICROÉLECTRONIQUE

  • Écrit par Claude WEISBUCH
  • 13 698 mots
  • 23 médias
  ...« fuie » pas entre l'électrode de commande (la grille) et le canal conducteur, un matériau isolant est placé entre le canal et la grille (fig. 1b). Pour empêcher le courant de passer lorsque aucune tension n'est appliquée à la grille, des impuretés chimiques choisies sont introduites, de manière localisée,...

• SEMI-CONDUCTEURS

  • Écrit par Julien BOK
  • 4 741 mots
  • 8 médias
  ...conductivité est essentiellement le produit de deux paramètres : la concentration et la mobilité. La variation de la conductivité avec la température et le dopage en impuretés est régie par ces deux paramètres. Soit un semi-conducteur de type n dopé avec une concentration N_D = 10¹⁴ cm^—3 en donneurs....

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