Microélectronique : méthode de fabrication des composants

Principe de fabrication des différents éléments d'un circuit intégré. Que ce soit un transistor (a), une résistance (b) ou un condensateur (c), ces composants sont constitués de silicium dopé (impuretés « donneuses » d'électrons ou silicium dopé n ; impuretés « acceptrices » d'électrons ou silicium dopé p), d'isolants et de métaux. Leur élaboration consiste à déposer ces différentes couches suivant des motifs géométriques. Par exemple, pour mettre en œuvre un motif métallique ou bien doper le silicium, on éclaire localement (à travers un « masque ») un polymère photosensible (f) qui a été préalablement déposé sur la couche de silice à graver (e), elle-même déposée sur la plaquette de silicium. Ce polymère permet, par des attaques chimiques sélectives (g et h), de créer un masque en silice qui protégera la surface lors du dépôt du métal ou des impuretés (i). Il suffit ensuite d'effectuer une autre attaque chimique sélective pour faire disparaître le masque de silice et obtenir le motif final.

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