Physicien russe, il partage le prix Nobel de physique en 2000 avec Jack S. Kilby pour leurs contributions fondamentales à la technologie de l'information et de la communication, et en particulier l'invention des semi-conducteurs à hétérostructure. Né le 15 mars 1930 à Vitebsk en Biélorussie, Zhores I. Alferov est le fils d'un docker qui, ayant rejoint le parti bolchevique dès 1917, deviendra directeur d'usine puis de conglomérat industriel. Alferov fait ses études supérieures à Leningrad (actuellement Saint-Petersbourg) à l'Institut électrotechnique Oulianov puis, à partir de 1953, à l'Institut physico-technique Ioffé. Le 5 mars 1953, il réalise le premier transistor soviétique à jonction p-n.
En 1963, il dépose avec Rudolf Kazarinov le brevet d'invention du laser à semi-conducteur à hétérostructure, dans lequel il propose d'utiliser un sandwich de deux matériaux semi-conducteurs différents. Une semaine plus tard, Herbert Kroemer dépose aux États-Unis une demande de brevet semblable. En 1968-1969, son équipe fait progresser la compréhension de ces idées dans le cas du système arséniure de gallium – arséniure d'aluminium et son utilisation pratique dans de nombreux appareils comme les lasers, les diodes émettrices de lumière ou les transistors rapides. Les cellules solaires qu'ils mettent au point en 1970 à partir des hétérostructures furent des composants essentiels du succès des satellites soviétiques et de la station Mir.
La première visite d'Alferov aux États-Unis en 1969 et son séjour de plusieurs mois en 1970-1971 à l'université de l'Illinois marquent la fin de l'isolement des chercheurs soviétiques. Élu en 1987 directeur de l'institut Ioffé, Alferov devient en avril 1990 vice-président de l'Académie des sciences de son pays. Après la disparition de l'U.R.S.S., pour « sauvegarder l'héritage de l'Académie des sciences », il devient membre du Parlement russe en 1995, acceptant « des compromis avec le pouvoir, mais pas avec la conscience ».
Bernard PIRE
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