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Configurations atomiques et densités électroniques associées à la surface d'un échantillon de silicium face (111) fortement dopé au bore

Configurations atomiques et densités électroniques associées à la surface d'un échantillon de silicium face (111) fortement dopé au bore. En a, vue de dessus en microscopie par effet tunnel. La maille hexagonale des atomes de silicium en surface a 0,65 nm de côté. Les points blancs les plus gros correspondent à des zones de surface où le bore est absent car la densité électronique est plus élevée (b). La présence de bore diminue la densité électronique de surface (c) et fait apparaître les points plus sombres (Groupe de physique des états condensés, Luminy).

Configurations atomiques et densités électroniques associées à la surface d'un échantillon de silicium face (111) fortement dopé au bore

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