ARSÉNIURE DE GALLIUM

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• ÉLECTRONIQUE INDUSTRIE

  • Écrit par Michel-Henri CARPENTIER
  • 14 366 mots
  • 7 médias
  ...à cinq électrons périphériques, comme le phosphore et l'arsenic – permettent de réaliser des circuits intégrés entre 1974 et 1976, avec à la fois, pour les premiers circuits intégrés en arséniure de gallium, des propriétés de grande rapidité qui leur permettent des applications en micro-ondes, et des...

• GALLIUM

  • Écrit par Georges KAYAS
  • 295 mots

  De Gallia, France

  Symbole chimique : Ga

  Numéro atomique : 31

  Masse atomique : 69,72

  Point de fusion : 29,78 ⁰C

  Point d'ébullition : 2 403 ⁰C

  Densité (à 29,6 ⁰C) : 5,904.

  Métal très facilement liquéfiable, découvert par Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran (1875) par son spectre, isolé, étudié...

• HYPERFRÉQUENCES

  • Écrit par Louis DUSSON
  • 9 898 mots
  • 17 médias
  ...drain-source : la zone 1, où la concentration des porteurs est constante, et la zone 2, où la vitesse d'entraînement des porteurs reste constante. Avec l' arséniure de gallium dopé avec des impuretés de type n, le processus est sensiblement le même ; toutefois, la zone 2 est moins importante que la zone...

• SEMI-CONDUCTEURS

  • Écrit par Julien BOK
  • 4 741 mots
  • 8 médias
  ...la colonne III (trois électrons de valence) du tableau de Mendeleiev et d'un atome de la colonne V (cinq électrons de valence) : ce sont, par exemple, l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphate de gallium (GaP), le phosphure d'indium (InP). Ces composés ont donc aussi huit électrons par ensemble atome...