OXYDE DE SILICIUM

CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par 
  • Frédéric PÉTROT, 
  • Franck WAJSBÜRT
  •  • 8 965 mots
  •  • 20 médias

Dans le chapitre « Principe de dopage du substrat »  : […] La réalisation des transistors MOS nécessite la création dans le substrat de zones dopées qui sont obtenues en diffusant localement des atomes dopants (donneurs et accepteurs d'électrons). La procédure est la suivante (fig. 13 ) : On recouvre d'abord le substrat d'une mince couche d'oxyde de silicium qui a pour rôle de protéger la surface du silicium lors du dopage. On sélectionne ensuite les zone […] Lire la suite

SILICE

  • Écrit par 
  • Maurice LELUBRE, 
  • Jean WYART
  •  • 5 731 mots
  •  • 7 médias

Le dioxyde de silicium ou silice occupe, parmi les oxydes, une place exceptionnelle ; en effet, par ses propriétés cristallochimiques, par ses modes de genèse, par son importance pétrographique, il s'apparente étroitement aux silicates. Dans la quasi-totalité de ses formes, il apparaît comme le modèle le plus simple des tectosilicates : une charpente tridimensionnelle faite de tétraèdres SiO 4 li […] Lire la suite

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