Microsystèmes : procédé d'usinage anisotrope du silicium

D.R./ FEMTO-ST, Besançon

Les structures tridimensionnelles anisotropes observées ici ont été obtenues par attaque chimique de la tranche de silicium par une solution de potasse. En dehors des motifs, le silicium est protégé par une couche mince de silice inerte à la potasse.