Circuits intégrés : silicium de type N et P

Circuits intégrés : silicium de type N et P

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En a, silicium de type N : l'électron supplémentaire, provenant ici de la substitution d'un atome de silicium (Si) par un atome d'arsenic (As), se déplace librement dans la structure du cristal ; en b, silicium de type P, le trou, c'est-à-dire le manque d'électron lié, dans ce cas, est dû au remplacement d'un atome de silicium (Si) par un atome de bore (Br). Le trou se déplace en attirant un électron d'un atome voisin.