SUBSTRAT, électronique

CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par 
  • Frédéric PÉTROT, 
  • Franck WAJSBÜRT
  •  • 8 993 mots
  •  • 20 médias

Dans le chapitre « Principe de dopage du substrat »  : […] La réalisation des transistors MOS nécessite la création dans le substrat de zones dopées qui sont obtenues en diffusant localement des atomes dopants (donneurs et accepteurs d'électrons). La procédure est la suivante (fig. 13 ) : On recouvre d'abord le substrat d'une mince couche d'oxyde de silicium qui a pour rôle de protéger la surface du silicium lors du dopage. On sélectionne ensuite les zone […] […] Lire la suite