NITRURE DE SILICIUM

CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par 
  • Frédéric PÉTROT, 
  • Franck WAJSBÜRT
  •  • 8 965 mots
  •  • 20 médias

Dans le chapitre « Principe du processus de réalisation CMOS »  : […] À partir d'un substrat faiblement dopé P, on effectue différentes étapes. Formation du caisson (fig. 13). Cette première étape consiste à former les caissons N pour l'implantation des transistors P. La démarche est identique à l'obtention d'un substrat dopé : oxydation du substrat, couverture de résine, exposition aux UV du masque des caissons, suppression de la résine non durcie, attaque de l'ox […] Lire la suite

SILICIUM

  • Écrit par 
  • Jacques DUNOGUÈS, 
  • Michel POUCHARD
  •  • 5 600 mots
  •  • 1 média

Dans le chapitre « Autres dérivés »  : […] L'action à très haute température du graphite sur le silicium ou la pyrolyse de dérivés organosiliciés conduit à la formation de carbure de silicium SiC (le carborundum) de propriétés structurales et physiques particulièrement intéressantes. SiC peut cristalliser avec des types structuraux variés allant de celui de la blende (noté β-SiC), à celui de la würtzite (noté α-SiC) ; ces deux formes diffè […] Lire la suite

TEMPÉRATURES PHYSICO-CHIMIE DES HAUTES

  • Écrit par 
  • François CABANNES
  •  • 3 853 mots
  •  • 11 médias

Dans le chapitre « Élaboration des matériaux »  : […] Les matériaux les plus divers, par leur nature ou par leurs usages, qu'ils soient réfractaires ou non, sont élaborés à haute température : aciers, ciments, verre, abrasifs, porcelaine. Quelques techniques de haute température sont très employées : la fusion, le frittage ; d'autres ne le sont que dans des cas particuliers : le dépôt sur front chaud, la projection au chalumeau. Elles résultent toute […] Lire la suite