NANOÉLECTRONIQUE

FERT ALBERT (1938- )

  • Écrit par 
  • Bernard PIRE
  •  • 824 mots

Le physicien français Albert Fert, né le 7 mars 1938 à Carcassonne, a reçu le prix Nobel de physique en 2007 pour ses découvertes dans le domaine des propriétés électromagnétiques de certaines structures solides et pour sa contribution importante à l'émergence de la spintronique. Né d'un professeur de physique (au lycée puis à l'université de Toulouse) et d'une enseignante en économie, Albert Fer […] […] Lire la suite

MICROÉLECTRONIQUE

  • Écrit par 
  • Claude WEISBUCH
  •  • 13 698 mots
  •  • 23 médias

Dans le chapitre « Le régime mésoscopique : une transition entre le comportement classique, aléatoire, et le comportement microscopique, déterministe »  : […] Lorsque la taille des transistors est réduite, en utilisant des techniques de fabrication à l'échelle nanométrique, un comportement reproductible des trajectoires d'électrons, effectuant tous un même trajet, apparaît. C'est ce que l'on a appelé le régime mésoscopique (c'est-à-dire plus tout à fait macroscopique, où les effets sont moyennés sur un grand nombre de particules et d'événements, et pas […] […] Lire la suite

NANOFIBRES PLASTIQUES HAUTEMENT CONDUCTRICES

  • Écrit par 
  • Bernard PIRE
  •  • 335 mots

L'utilisation des matériaux plastiques dans l'électronique miniaturisée ne cesse de progresser tant leurs caractéristiques propres sont bien adaptées à un certain nombre d'applications. S'affranchir des fils métalliques conducteurs d'électricité reste difficile malgré les potentialités des nanotubes de carbone qui restent toutefois onéreux et fragiles. Dans un article publié en avril 2012 par la […] […] Lire la suite

NANOTECHNOLOGIES

  • Écrit par 
  • Claude WEISBUCH
  •  • 6 286 mots
  •  • 5 médias

Dans le chapitre « Les effets quantiques dans les composants »  : […] Certaines nouvelles propriétés nées de l'échelle nanométrique dans les composants électroniques sont exploitées depuis la fin des années 1970. Les transistors à gaz d'électrons bidimensionnels sont apparus au début des années 1980. Lorsque l'épaisseur de la couche semiconductrice d'un transistor devient inférieure à 20 nanomètres, le mouvement des électrons perpendiculairement à la couche est qua […] […] Lire la suite

NANOTECHNOLOGIES (enjeux et risques)

  • Écrit par 
  • Francelyne MARANO
  •  • 5 969 mots
  •  • 2 médias

Dans le chapitre « Quels sont les enjeux des nanotechnologies ? »  : […] En France, un rapport récent du Conseil économique et social ( Les Nanotechnologies , juin 2008) fait clairement le point des domaines d'application et des enjeux. Les plus grandes utilisations actuelles des nanoparticules manufacturées se rencontrent dans la fabrication des pneus où un mélange de nanoparticules de noir de carbone et de silice est incorporé au caoutchouc pour le rendre plus résist […] […] Lire la suite

TRANSISTOR À ATOME UNIQUE

  • Écrit par 
  • Bernard PIRE
  •  • 320 mots

Dans la course aux composants électroniques de plus en plus miniaturisés, la performance d'une équipe de physiciens australiens marque une étape qu'il sera difficile de dépasser. En effet, Michele Simmons et ses collaborateurs de l'université de Nouvelle-Galles du Sud à Sidney (Australie) viennent de réaliser le premier transistor à effet de champ constitué par un unique atome. Lors de leurs trav […] […] Lire la suite


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Microélectronique : transistors du futur

dessin :  Microélectronique : transistors du futur

Les nouveaux transistors envisagés pour l'ère de la nanoélectronique : le transistor à double grille et le transistor à grille enveloppante (surrounding gate). Le mouvement des électrons étant très confiné verticalement par rapport à celui des transistors classiques,...  

Crédits : Encyclopædia Universalis France

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 Microélectronique : transistors du futur

Microélectronique : transistors du futur
Crédits : Encyclopædia Universalis France

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