LASERS À SEMICONDUCTEURS

ALFEROV ZHORES I. (1930-2019)

  • Écrit par 
  • Bernard PIRE
  •  • 504 mots

Physicien russe, Zhores I. Alferov (ou Jaurès Alferov) partage le prix Nobel de physique en 2000 pour moitié avec Herbert Kroemer pour leurs contributions fondamentales à la technologie de l'information et de la communication, et en particulier l'invention des semi-conducteurs à hétérostructure. À présent, ces hétérostructures semi-conductrices sont utilisées dans les téléphones mobiles, les lect […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/zhores-i-alferov/#i_84383

KROEMER HERBERT (1928- )

  • Écrit par 
  • Bernard PIRE
  •  • 410 mots

Physicien allemand résidant aux États-Unis, co-lauréat du prix Nobel de physique en 2000 pour ses contributions aux technologies de l'information et de la communication. Né à Weimar le 25 août 1928, Herbert Kroemer est le fils d'un fonctionnaire municipal de la ville. Élève brillant mais indiscipliné, il commence ses études universitaires à Iéna en 1948, mais ne tarde pas à passer à l'Ouest en pro […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/herbert-kroemer/#i_84383

LASERS

  • Écrit par 
  • Yves LECARPENTIER, 
  • Alain ORSZAG
  •  • 10 803 mots
  •  • 4 médias

Dans le chapitre « Éclairage, alignement, guidage et applications grand public »  : […] La lumière laser, émise en faisceau quasi parallèle, se prête, mieux que toute autre, à toutes les transformations optiques. Elle peut être focalisée sur un objet ou un échantillon pour y créer un éclairement intense. En impulsions courtes, elle fige sur place les mouvements et les événements les plus rapides, y compris, au laboratoire, certaines réactions chimiques dont la rapidité interdisait j […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/lasers/#i_84383

NANOTECHNOLOGIES

  • Écrit par 
  • Claude WEISBUCH
  •  • 6 259 mots
  •  • 5 médias

Dans le chapitre « Les effets quantiques dans les composants »  : […] Certaines nouvelles propriétés nées de l'échelle nanométrique dans les composants électroniques sont exploitées depuis la fin des années 1970. Les transistors à gaz d'électrons bidimensionnels sont apparus au début des années 1980. Lorsque l'épaisseur de la couche semiconductrice d'un transistor devient inférieure à 20 nanomètres, le mouvement des électrons perpendiculairement à la couche est qua […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/nanotechnologies/#i_84383

SEMI-CONDUCTEURS

  • Écrit par 
  • Julien BOK
  •  • 4 772 mots
  •  • 7 médias

Dans le chapitre « Émetteurs »  : […] Les systèmes émetteurs sont fondés sur le phénomène de recombinaison radiative d'une paire électron-trou. Le problème principal pour la réalisation de ces dispositifs est de trouver une méthode simple et économique de création de ces paires. Ce problème est résolu par l'utilisation de jonctions  n-p polarisées en direct permettant d'injecter des porteurs minoritaires et d'ob […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/semiconducteurs/#i_84383

TÉLÉCOMMUNICATIONS - Technologies optiques

  • Écrit par 
  • Irène JOINDOT, 
  • Michel JOINDOT
  •  • 7 033 mots
  •  • 8 médias

Dans le chapitre « Principe de l'amplificateur optique à fibre »  : […] Comme n'importe quel amplificateur, un amplificateur optique absorbe l'énergie fournie par une source extérieure appelée pompe et la restitue au signal pour l'amplifier. Les amplificateurs à fibre disponibles commercialement fonctionnent dans la fenêtre de transmission à la longueur d'onde de 1 550 nm. Un de leurs avantages est la simplicité du dispositif (fig. 5 ). Ils se composent pour l'essenti […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/telecommunications-technologies-optiques/#i_84383


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Laser semiconducteur

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Laser semiconducteur : principe d'amplification de la lumière à l'aide d'une jonction P-N 

Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Laser semiconducteur
Crédits : Encyclopædia Universalis France

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