INTERCONNEXIONS, électronique

CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par 
  • Frédéric PÉTROT, 
  • Franck WAJSBÜRT
  •  • 8 993 mots
  •  • 20 médias

Dans le chapitre « Principe du processus de réalisation CMOS »  : […] À partir d'un substrat faiblement dopé P, on effectue différentes étapes. Formation du caisson (fig. 13). Cette première étape consiste à former les caissons N pour l'implantation des transistors P. La démarche est identique à l'obtention d'un substrat dopé : oxydation du substrat, couverture de résine, exposition aux UV du masque des caissons, suppression de la résine non durcie, attaque de l'ox […] […] Lire la suite

MICROÉLECTRONIQUE

  • Écrit par 
  • Claude WEISBUCH
  •  • 13 698 mots
  •  • 23 médias

Dans le chapitre «  Les limites physiques aux circuits intégrés »  : […] À partir des trois éléments de base des circuits intégrés (transistor, résistance et condensateur), toutes les fonctions requises par « l'intelligence » informatique peuvent être réalisées (fig. 7) . Plus les éléments fabriqués seront de petite taille, plus on pourra en intégrer sur une seule puce. L'augmentation de la miniaturisation se traduit donc, depuis le milieu des années 1970, par une pui […] […] Lire la suite


Affichage 

Circuit intégré : interconnexions métalliques

dessin :  Circuit intégré : interconnexions métalliques

Schéma des interconnexions métalliques d'un circuit intégré vers 2005. Établies sur onze niveaux de fils conducteurs à partir de 2005, celles-ci doivent permettre d'obtenir une fonctionnalité maximale. Ces liaisons sont hiérarchisées : au fur et à mesure qu'elles sont distantes...  

Crédits : Encyclopædia Universalis France

Afficher

 Circuit intégré : interconnexions métalliques

Circuit intégré : interconnexions métalliques
Crédits : Encyclopædia Universalis France

dessin