GRILLE, électronique

CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par 
  • Frédéric PÉTROT, 
  • Franck WAJSBÜRT
  •  • 8 965 mots
  •  • 20 médias

Dans le chapitre « Principe du processus de réalisation CMOS »  : […] À partir d'un substrat faiblement dopé P, on effectue différentes étapes. Formation du caisson (fig. 13). Cette première étape consiste à former les caissons N pour l'implantation des transistors P. La démarche est identique à l'obtention d'un substrat dopé : oxydation du substrat, couverture de résine, exposition aux UV du masque des caissons, suppression de la résine non durcie, attaque de l'ox […] Lire la suite

HYPERFRÉQUENCES

  • Écrit par 
  • Louis DUSSON
  •  • 9 960 mots
  •  • 17 médias

Dans le chapitre « Transistors »  : […] La technologie des couches planaires épitaxiées permet de réaliser des transistors en hyperfréquences. Cette technologie favorise un contrôle précis des dimensions et facilite l'interconnexion de multiples éléments. On ne distingue plus l'émetteur, la base et le collecteur du transistor conventionnel. Un transistor U.H.F. est constitué par plusieurs dizaines d'émetteurs séparés et connectés par un […] Lire la suite

MICROÉLECTRONIQUE

  • Écrit par 
  • Claude WEISBUCH
  •  • 13 674 mots
  •  • 23 médias

Dans le chapitre «  Les limites physiques aux circuits intégrés »  : […] À partir des trois éléments de base des circuits intégrés (transistor, résistance et condensateur), toutes les fonctions requises par « l'intelligence » informatique peuvent être réalisées (fig. 7) . Plus les éléments fabriqués seront de petite taille, plus on pourra en intégrer sur une seule puce. L'augmentation de la miniaturisation se traduit donc, depuis le milieu des années 1970, par une pui […] Lire la suite

TÉLÉVISION - Télévision analogique terrestre

  • Écrit par 
  • Louis GOUSSOT, 
  • Stéphane LACHARNAY, 
  • Dominique NASSE
  •  • 7 947 mots
  •  • 10 médias

Dans le chapitre « Les senseurs solides »  : […] Les senseurs, ou capteurs, d'image solides reposent sur l'utilisation d'une cible de silicium monolithique divisée en points d'image séparés (pixels). Ces points peuvent être des photodiodes ou, le plus souvent, des capacités MOS ( metal oxide semiconductor ) constituées d'un substrat de silicium P et d'une grille conductrice (et transparente) en silicium polycristallin séparée du substrat par un […] Lire la suite


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Microélectronique : transistors du futur

Microélectronique : transistors du futur

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Les nouveaux transistors envisagés pour l'ère de la nanoélectronique : le transistor à double grille et le transistor à grille enveloppante (surrounding gate) Le mouvement des électrons étant très confiné verticalement par rapport à celui des transistors classiques, les dimensions... 

Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Microélectronique : transistor à effet de champ.

Microélectronique : transistor à effet de champ.

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Transistor à effet de champ En a, principe de fonctionnement d'un transistor à effet de champ Le passage de courant dans un « canal » conducteur est contrôlé par un champ électrique appliqué par une électrode (la « grille ») placée au-dessus du canal Ce dernier est constitué par un... 

Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Microélectronique : transistors du futur

Microélectronique : transistors du futur
Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Microélectronique : transistor à effet de champ.

Microélectronique : transistor à effet de champ.
Crédits : Encyclopædia Universalis France

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