DOPAGE, électronique

CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par 
  • Frédéric PÉTROT, 
  • Franck WAJSBÜRT
  •  • 8 965 mots
  •  • 20 médias

Dans le chapitre « Principe de dopage du substrat »  : […] La réalisation des transistors MOS nécessite la création dans le substrat de zones dopées qui sont obtenues en diffusant localement des atomes dopants (donneurs et accepteurs d'électrons). La procédure est la suivante (fig. 13 ) : On recouvre d'abord le substrat d'une mince couche d'oxyde de silicium qui a pour rôle de protéger la surface du silicium lors du dopage. On sélectionne ensuite les zone […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/circuits-integres/#i_773

HYPERFRÉQUENCES

  • Écrit par 
  • Louis DUSSON
  •  • 9 960 mots
  •  • 17 médias

Dans le chapitre « Diodes PIN ou PΠN »  : […] Une diode PIN se compose de trois parties : deux zones extrêmes p + et n + fortement dopées, et une région intermédiaire théoriquement intrinsèque, en pratique faiblement dopée (c'est la raison pour laquelle la dénomination PΠN est plus correcte) qui possède une faible conductivité. Un schéma équivalent […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/hyperfrequences/#i_773

LASERS

  • Écrit par 
  • Yves LECARPENTIER, 
  • Alain ORSZAG
  •  • 10 803 mots
  •  • 4 médias

Dans le chapitre « Les lasers à semiconducteurs (diodes laser) »  : […] Ces lasers (dont les premiers ont fonctionné dès 1962) sont, comme les autres, constitués d'un milieu amplificateur (le matériau semiconducteur) renfermé dans une cavité résonante. Celle-ci est souvent délimitée par les faces extrêmes du milieu amplificateur, polies ou clivées pour les rendre parallèles, mais on peut aussi la délimiter par des éléments externes (miroirs, réseau). Par contre, si […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/lasers/#i_773

MATIÈRE (physique) - État solide

  • Écrit par 
  • Daniel CALÉCKI
  •  • 8 602 mots
  •  • 13 médias

Dans le chapitre « Les caractéristiques structurelles »  : […] On sait fabriquer, pour les besoins de l'industrie des composants électroniques, du silicium monocristallin sans défaut, sous forme de barreaux de plusieurs centimètres de longueur et de quelques centimètres carrés de section. Mais la plupart des cristaux, même de faibles dimensions, comportent toutes sortes de défauts, qui sont tantôt néfastes, tantôt indispensables pour l'utilisation des solide […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/matiere-physique-etat-solide/#i_773

MICROÉLECTRONIQUE

  • Écrit par 
  • Claude WEISBUCH
  •  • 13 674 mots
  •  • 23 médias

Dans le chapitre «  Les limites physiques aux circuits intégrés »  : […] À partir des trois éléments de base des circuits intégrés (transistor, résistance et condensateur), toutes les fonctions requises par « l'intelligence » informatique peuvent être réalisées (fig. 7) . Plus les éléments fabriqués seront de petite taille, plus on pourra en intégrer sur une seule puce. L'augmentation de la miniaturisation se traduit donc, depuis le milieu des années 1970, par une pui […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/microelectronique/#i_773

PHOTOVOLTAÏQUE

  • Écrit par 
  • Jean-Claude MULLER
  •  • 13 219 mots
  •  • 5 médias

Dans le chapitre « Élaboration du matériau »  : […] Le silicium est très répandu à la surface de la croûte terrestre sous forme de silice (sable, quartz, etc.), et il est à la base de toute l'industrie électronique moderne, puisque diodes, transistors, circuits intégrés en font un large usage sous forme de plaquettes découpées dans des monocristaux de qualité électronique, c'est-à-dire dans lesquels la concentration en impuretés est inférieure à u […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/photovoltaique/#i_773

SEMI-CONDUCTEURS

  • Écrit par 
  • Julien BOK
  •  • 4 772 mots
  •  • 7 médias

Dans le chapitre « Conductivité électrique »  : […] Les propriétés électriques des solides sont bien comprises grâce à la propriété fondamentale suivante : les électrons d'une bande d'énergie pleine ne peuvent pas être animés d'un déplacement collectif, donc ne peuvent pas engendrer un courant électrique. Cette propriété est une conséquence directe de la mécanique quantique et du principe de Pauli. Une comparaison simple permet de comprendre l'ori […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/semiconducteurs/#i_773


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Microélectronique : méthode de fabrication des composants

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Principe de fabrication des différents éléments d'un circuit intégré Que ce soit un transistor (a), une résistance (b) ou un condensateur (c), ces composants sont constitués de silicium dopé (impuretés « donneuses » d'électrons ou silicium dopé n ; impuretés « acceptrices »... 

Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Microélectronique : transistor à effet de champ.

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Transistor à effet de champ En a, principe de fonctionnement d'un transistor à effet de champ Le passage de courant dans un « canal » conducteur est contrôlé par un champ électrique appliqué par une électrode (la « grille ») placée au-dessus du canal Ce dernier est constitué par un... 

Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Microélectronique : méthode de fabrication des composants
Crédits : Encyclopædia Universalis France

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Microélectronique : transistor à effet de champ.
Crédits : Encyclopædia Universalis France

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