GUNN DIODE

HYPERFRÉQUENCES

  • Écrit par 
  • Louis DUSSON
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Dans le chapitre « Diodes à effet Gunn »  : […] En appliquant des impulsions de tension aux bornes d'un cristal d'AsGa de faible épaisseur, J. B. Gunn (1963) s'aperçut qu'il était possible de donner naissance à des oscillations de courant dans la gamme de fréquence de 1 GHz. Le phénomène a été observé avec d'autres semiconducteurs du type n , tels que le phosphure d'indium InP, l'arséniure de gallium AsGa, qui possèdent également une bande de c […] Lire la suite

SEMI-CONDUCTEURS

  • Écrit par 
  • Julien BOK
  •  • 4 772 mots
  •  • 7 médias

Dans le chapitre « Générateurs d'hyperfréquences »  : […] Lorsqu' on soumet un semi-conducteur à un champ électrique très élevé, divers phénomènes d'instabilité apparaissent, qui peuvent donner naissance à des oscillations de courant à très haute fréquence dans la gamme de 10 à 100 GHz. Ces dispositifs sont alors utilisés comme générateurs d'hyperfréquences, pour des radars par exemple. Deux types sont commercialisés : – les diodes à effet Gunn, qui uti […] Lire la suite