BARRIÈRE DE POTENTIEL
DÉCOUVERTE DE L'EFFET JOSEPHSON
Alors qu'il est encore étudiant à l'université de Cambridge (Grande-Bretagne), le jeune théoricien gallois Brian D. Josephson (né en 1940) comprend en 1962 comment se comportent les électrons d'une jonction entre deux supraconducteurs. Il explique que, par un effet purement quantique, les électrons se groupent en paires pour passer sous la barrière de potentiel qui caractérise la différence des […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/decouverte-de-l-effet-josephson/#i_27284
JOSEPHSON BRIAN DAVID (1940- )
Né le 4 janvier 1940 à Cardiff (Grande-Bretagne), Brian David Josephson fait ses études supérieures à l'université de Cambridge, où il soutient sa thèse en 1964. Après un court séjour à l'université de l'Illinois, il retourne à Cambridge en 1967 et y devient professeur en 1974. Ses travaux théoriques sur les effets quantiques dans les solides lui valent de partager le prix Nobel de physique 1973 […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/brian-david-josephson/#i_27284
MICROÉLECTRONIQUE
Dans le chapitre « La quantification de la charge électronique : l'électronique granulaire » : […] Le rêve de l'électronicien est de réaliser un dispositif ne fonctionnant qu'avec un électron. C'est habituellement hors de question car un seul électron pénétrant dans un composant électronique de taille classique n'en change pas les propriétés de manière perceptible. Toutefois, cet électron supplémentaire modifie le potentiel électrique du composant : ce potentiel diminue, ce qui correspond à un […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/microelectronique/#i_27284
MICROSCOPIE
Dans le chapitre « Principe, réalisation et fonctionnement du microscope » : […] L' effet tunnel est une conséquence de la dualité onde-corpuscule. Il se manifeste lorsqu'une particule doit traverser une région de l'espace, appelée barrière de potentiel, où son énergie totale est inférieure à son énergie potentielle. La traversée par effet tunnel de cette région, interdite au sens de la mécanique classique, est possible si la fonction d'onde associée à la particule s'étend su […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/microscopie/#i_27284
RÉMANENCE, physique
Phénomène lié à l'hystérésis de la réponse A d'un système par rapport au champ appliqué extérieur B. Si A dépend non seulement de la valeur actuelle de B, mais aussi de son « histoire » (systèmes à mémoire, phénomènes héréditaires), il y a hystérésis au sens suivant : en augmentant lentement B de zéro à B m et en le réduisant ensuite de nouveau à zéro, la fonction A(B) n'a pas les mêmes valeurs à […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/remanence/#i_27284
SURFACE PHÉNOMÈNES DE
Dans le chapitre « Propriétés électroniques » : […] Tout comme la structure géométrique, la structure électronique de surface d'un solide est différente de celle du volume. En fait, les deux structures sont intimement liées, car l'énergie de surface dépend de l'agencement électronique. La distribution électronique en surface introduit un moment dipolaire qui modifie le travail de sortie des électrons. Pour la surface uniforme d'un conducteur, le tr […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/phenomenes-de-surface/#i_27284
THERMO-IONIQUE ÉMISSION
Dans le chapitre « Équation fondamentale de l'émission d'électrons » : […] Le modèle physique décrivant l'émission d'électrons est dû à Arnold Sommerfeld. D'après ce modèle, un cristal d'un métal est assimilé à un puits de potentiel contenant un gaz dégénéré d'électrons qui occupent dans le puits de potentiel un certain nombre d'états énergétiques. On peut calculer le nombre d'états d N qui occupent une énergie comprise entre E et E + d E : où h est la constante de Pla […] Lire la suite☛ http://www.universalis.fr/encyclopedie/emission-thermo-ionique/#i_27284
Interrupteur parfait
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Fonctionnement du transistor comme interrupteur « parfait » En a, pour ne pas conduire quand il est ouvert, le transistor possède une barrière de potentiel au passage des électrons entre source et drain ; ces barrières sont obtenues en dopant le silicium avec des impuretés qui vont créer...
Crédits : Encyclopædia Universalis France
Interrupteur parfait
Crédits : Encyclopædia Universalis France
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