Né le 10 février 1902 à Amoy (Chine), Walter Houser Brattain passa sa jeunesse dans l'État de Washington (États-Unis) et fit ses études supérieures à l'université de l'Oregon puis à celle du Minnesota, où il soutint sa thèse en 1929. Il fit ensuite toute sa carrière aux laboratoires de la compagnie Bell Telephone de Murray Hill (New Jersey), travaillant d'abord sur l'émission thermo-ionique du tungstène, puis sur les effets de surface des semi-conducteurs, en particulier dans le cas du silicium et du germanium.
La découverte de l'effet du rayonnement sur la surface libre d'un semi-conducteur participait d'un effort coordonné d'étude des semi-conducteurs au sein des laboratoires Bell, à partir de 1946, sous la direction de William Shockley. L'étude et la fabrication des semi-conducteurs avaient beaucoup progressé pendant la Seconde Guerre mondiale, et on savait produire des polycristaux relativement purs de silicium et de germanium dont on pouvait contrôler les propriétés électriques par l'introduction de quantités adéquates d'impuretés. En 1947, Brattain réussit à mesurer le potentiel de contact d'un cristal de germanium et sa variation lorsqu'il était illuminé. Il observa […]
