Ce sujet est traité dans les articles suivants :
Écrit par : Louis DUSSON
Dans le chapitre "Générateurs d'hyperfréquences à l'état solide" : … tant du fait de leur principe même que pour des raisons technologiques. En 1968, les transistors à *effet de champ sont apparus et ont, depuis lors, permis d'obtenir des résultats spectaculaires aux fréquences élevées. Le transistor à effet de champ à barrière métallique est constitué d'un semiconducteur de type n- de préférence… Lire la suiteÉcrit par : Claude WEISBUCH
Dans le chapitre " Trois moteurs : le transistor, le circuit intégré et le microprocesseur" : … ou transistor bipolaire, fut inventé peu après par William B. Shockley et mis au point en 1952. *C'est cependant un troisième type de transistor, le transistor à effet de champ (fig. 1), qui est de loin le plus utilisé aujourd'hui (plus de 99 p. 100 des transistors) à cause de sa simplicité de fabrication et de sa faible consommation électrique… Lire la suiteÉcrit par : Julien BOK
Dans le chapitre "Transistor à effet de champ" : … Le *transistor à effet de champ fonctionne sur un principe totalement différent de celui du transistor à jonction. On utilise le fait qu'une tension inverse appliquée à une jonction crée une barrière isolante dont la largeur augmente avec la tension appliquée. Si cette barrière s'étend dans un canal conducteur, on peut ainsi moduler la section du… Lire la suite
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