Le silicium (symbole Si, numéro atomique 14) ne se trouve pas à l'état natif, mais constitue, sous forme de silice et de silicates, l'élément le plus abondant (environ 28%), après l'oxygène, à la surface du globe (cf. silicates, silice). Son nom vient du latin silex : caillou. Antoine-Laurent Lavoisier avait soupçonné son existence en 1787, mais ce n'est qu'en 1823 que Jöns Jacob Berzelius l'isola dans un état de pureté suffisant pour pouvoir en aborder l'étude.
Le silicium cristallisé a un aspect métallique ; en raison de sa dureté, il polit le verre, mais il est poli par l'émeri. Sa densité est de 2,33 à 25 0C ; il fond à 1 410 0C et bout à 2 680 0C. On l'utilise de plus en plus pour l'obtention de semiconducteurs. En métallurgie, c'est un désoxydant des aciers et un élément d'alliages (fontes, aciers et alliages légers).
En raison des analogies des éléments silicium et carbone (C), on a très tôt (dès le xixe siècle et surtout au début du xxe siècle) songé à bâtir une chimie organique du silicium (chimie organ […]
Autres références
« SILICIUM » est également traité dans :
-
ACIER - Technologie
Auteurs :
Louis COLOMBIER, Gérard FESSIER, Guy HENRY, Joëlle PONTET
Dans le chapitre "Aciers alliés" : …
éléments permet l'obtention de diverses structures et la découverte d'une large gamme d'emploi. Le *silicium se rencontre dans tous les aciers, avec de faibles teneurs, de l'ordre de 0,2 à 0,5% : il est alors utilisé comme désoxydant. Il intervient parfois comme élément d'alliage avec de plus fortes teneurs, soit pour améliorer…
Lire la suite
-
CIRCUITS INTÉGRÉS
Auteurs :
Frédéric PÉTROT, Franck WAJSBÜRT
Dans le chapitre "Définition" : …
conducteur est intermédiaire entre celles des métaux (bons conducteurs) et celle des isolants –, *le plus souvent du silicium, sur lequel sont implantés les composants électroniques élémentaires (transistors, résistances, capacités, inductances) et les fils d'interconnexion. L'ensemble – les composants et les fils – réalise une fonction précise…
Lire la suite
-
CIRCUITS INTÉGRÉS - (repères chronologiques)
Auteur :
Pierre MOUNIER-KUHN
: on peut ainsi moduler un courant (notamment l'amplifier) ou produire des oscillations. * Premiers transistors au silicium. Moins rapide en fréquence que le germanium et plus difficile à travailler, le silicium présente cependant l'avantage d'être moins cher et plus résistant à la chaleur, donc plus fiable. Premiers ordinateurs…
Lire la suite
-
ÉLECTRONIQUE INDUSTRIE
Auteur :
Michel-Henri CARPENTIER
Dans le chapitre " Évolution des composants" : …
pratiques. Or, au cours de la Seconde Guerre mondiale, on utilisa des cristaux mélangeurs en* silicium, et l'on constata que certains conduisaient dans un sens et d'autres dans l'autre, parce que les impuretés étaient différentes (silicium dopé + ou dopé –). Les recherches que cela suscita furent concrétisées par la réalisation, en 1948, des…
Lire la suite
-
GÉOCHIMIE
Auteur :
René LETOLLE
Dans le chapitre "Groupe IV B" : …
de 92 à 95 bars déterminée pour l'atmosphère de Vénus par la mission Pioneer Vénus en 1978. Le *silicium, élément le plus abondant de la croûte terrestre après l'oxygène, est le donneur d'électrons prépondérant, donc celui qui détermine la majorité des structures cristallines. Dans le cours des cristallisations magmatiques, le silicium (…
Lire la suite
Afficher la liste complète (25 références)
Retour en haut
Bibliographie
Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry, Springer-Verlag, Berlin 1959, suppl. jusqu'en 1992
C. Eaborn, Organosilicon Compounds, Butterworths, Londres, 1960
R. Calas, P. Pascal & J. Wyart, Nouveau Traité de chimie minérale, Masson, Paris, 1965
V. Bazant, V. Chvalovsky & J. Rathousky, Organosilicon Compounds, Academic Press, New York-Londres, 4e éd. 1965-1970
A. F. Wells, Structural Inorganic Chemistry, Clarendon Press, Oxford, 1975
V.L.S.I. Technology, S.M. Sze, McGraw Hill, New York, 1983
Actes du Colloque national sur le silicium, Bordeaux, Masson, 1983
L'Actualité chimique, mars 1986
S. Patai & Z. Rappoport, The Chemistry of Organic Silicon Compounds, Wiley Interscience, New York, 1989
G. L. Larson, Advances in Silicon Chemistry, Jai Press Inc., Londres, vol. I, 1991, vol. II, 1993
S. J. Clarson & J. A. Semlyen, Siloxane Polymers, Ellis Horwood, P.T.R. Prentice Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, 1993
M. Birot, J.-P. Pillot & J. Dunoguès, « Comprehensive Chemistry of polycarbosilane, polysilazane and polycarbosilazane precursors of ceramics », in Chemical Reviews, vol. XCV, 1995.
Retour en haut
