5. Perspectives et technologies émergentes
Les mémoires qui équipent aujourd'hui les systèmes informatiques (tableau) sont extrêmement optimisées. Le rythme effréné des améliorations effectuées entre 1980 et 2000 s'est quelque peu réduit et les barrières théoriques imposées par la physique des semi-conducteurs se font de plus en plus menaçantes, mêmes si certains estiment qu'il y a encore beaucoup à faire dans ce domaine. Si le point mémoire dynamique a encore de l'avenir, il y a fort à parier que d'autres technologies plus performantes verront le jour.
Parmi celles-ci, l'une des plus prometteuses est la technologie MRAM (magnetic random access memory, mémoire magnétique à accès aléatoire). Le principe est de substituer à la charge électrique représentant l'information binaire une charge magnétique, qui s'obtient en polarisant quelques électrons d'une capacité ferromagnétique. La différence entre la technologie MRAM et celle qui équipe les disques durs vient principalement de la manière dont les données sont lues. Dans cette nouvelle technologie, c'est la valeur de la résistance du point mémoire formé autour d'une jonction tunnel qui code l'information binaire. De nombreuses firmes de semi-conducteurs investissent dans cette nouvelle technologie qui présente plusieurs intérêts majeurs : un point mémoire ferromagnétique consomme très peu, n'a pas besoin d'être constamment rafraîchi, permet de conserver les données en l'absence de toute alimentation électrique, et garantit un temps d'accès très faible comparé à celui des mémoires actuelles. En pratique, ces mémoires devraient permettre aux ordinateurs de s'initialiser et de s'éteindre presque instantanément.
Une autre piste de recherche est la mémoire holographique HDSS (holographic desktop storage system) qui consiste à stocker les données dans des hologrammes, ce qui permet d'atteindre des capacités de stockage de l'ordre du téra-bit dans le volume d'un morceau de sucre. Le débit des mémoires holographiques est lui aussi […]
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