Ce sujet est traité dans les articles suivants :
Écrit par : Frédéric PÉTROT, Franck WAJSBÜRT
Dans le chapitre " Principe de fonctionnement du transistor MOS" : … deux zones N, en vertu des caractéristiques de la jonction PN précisées au paragraphe précédent. *On place maintenant un conducteur, nommé grille, à quelques nanomètres au-dessus de la zone P, sans contact électrique avec aucune des zones. Si on applique, sur cette grille une tension supérieure à 0 V (plus exactement, une tension… Lire la suiteÉcrit par : Louis DUSSON
Dans le chapitre "Le klystron" : … dans un « premier espace de modulation » d'un volume résonnant (rhumbatron), en forme de tore et délimité par les *grilles G1 et G2, puis dans un « espace de glissement » équipotentiel où les électrons se groupent par paquets, enfin dans un second rhumbatron (grilles G3 et G4) accordé sur la fréquence du premier, où les électrons induisent un champ… Lire la suiteÉcrit par : Claude WEISBUCH
Dans le chapitre " Trois moteurs : le transistor, le circuit intégré et le microprocesseur" : … qu'en 1960 tant son utilisation demandait la maîtrise préalable des propriétés de surface. *Son principe est simple : la conductivité d'un canal semiconducteur situé entre deux électrodes, source et drain, est commandée en appliquant une tension sur une électrode de grille située au-dessus du canal. Cette tension crée un potentiel… Lire la suiteÉcrit par : Louis GOUSSOT, Stéphane LACHARNAY, Dominique NASSE
Dans le chapitre "Les senseurs solides" : … capacités MOS (metal oxide semiconductor) constituées d'un substrat de silicium P et d'une *grille conductrice (et transparente) en silicium polycristallin séparée du substrat par une mince couche d'oxyde. Comme les tubes, ces senseurs doivent assurer la fonction de conversion opto-électronique et la fonction multiplexage de l'information (… Lire la suite
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