Ce sujet est traité dans les articles suivants :
Écrit par : François PÊCHEUX
Dans le chapitre "Point mémoire dynamique (DRAM)" : … Cette *technologie s'appuie sur la capacité d'un condensateur C à stocker l'énergie électrique pour conserver un bit (fig. 3). La représentation d'un bit par une charge électrique permet de réduire à deux le nombre de transistors utiles et donc de diviser par trois la surface de silicium nécessaire pour représenter un point mémoire dynamique DRAM… Lire la suiteÉcrit par : Claude WEISBUCH
Dans le chapitre "Réalisation de mémoires à partir de transistors et condensateurs : la mémoire dynamique à accès aléatoire (dynamic random access memory, DRAM)" : … *Une information (un bit) est mise en mémoire en chargeant, grâce à un fil conducteur appelé ligne de données, un condensateur (niveau logique « 1 ») ou non (niveau logique « 0 ») à travers un transistor dont la fermeture (état conduisant) est commandée par un fil conducteur nommé ligne de sélection. Si le condensateur est ensuite isolé (transistor… Lire la suite
Accueil - Contact - À propos
Consulter les articles d'Encyclopædia Universalis :
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
Consulter les articles d'Encyclopædia Britannica.
© 2012, Encyclopædia Universalis France S.A. Tous droits de propriété industrielle et intellectuelle réservés.