DOPAGE, électronique

Ce sujet est traité dans les articles suivants :

1.  CIRCUITS INTÉGRÉS

Écrit par : Frédéric PÉTROT, Franck WAJSBÜRT

Dans le chapitre " Principe de fonctionnement du transistor MOS"  : … résistivité, proche de celle des isolants) qu'il est possible de contrôler par l'ajout d'impuretés. *Elle peut ainsi varier de plusieurs ordres de grandeur si on y introduit, en très faibles quantités (à raison d'un atome pour 10 000), des atomes dits dopants, comme le bore ou l'arsenic. Ces derniers s'insèrent dans le cristal sans le déformer, en… Lire la suite

2.  HYPERFRÉQUENCES

Écrit par : Louis DUSSON

Dans le chapitre "Diodes PIN ou PΠN"  : … *Une diode PIN se compose de trois parties : deux zones extrêmes p⁺ et n⁺ fortement dopées, et une région intermédiaire théoriquement intrinsèque, en pratique faiblement dopée (c'est la raison pour laquelle la dénomination PΠN est plus correcte) qui possède une faible conductivité. Un schéma équivalent est… Lire la suite

3.  LASERS

Écrit par : Yves LECARPENTIER, Alain ORSZAG

Dans le chapitre "Les lasers à semiconducteurs (diodes laser)"  : … occupés jusqu'à un niveau limite, appelé niveau de Fermi, d'énergie EF. Le* « dopage » d'un semiconducteur consiste à lui ajouter des atomes possédant à leur périphérie un électron de plus ou de moins que le nombre de ceux du matériau de base. Cet excès (ou défaut) en électrons se traduit par un déplacement du niveau de… Lire la suite

4.  MATIÈRE (physique) - État solide

Écrit par : Daniel CALÉCKI

Dans le chapitre "Les caractéristiques structurelles"  : … des lacunes. De même, les métaux seraient beaucoup moins fragiles s'ils ne contenaient pas de dislocations. Dans le silicium on remplace un atome sur 10 ou 100 millions par des atomes d’a rsenic ou de bore pour fabriquer les jonctions des diodes ou des transistors ; on dit qu'on *dope le semi-conducteur avec des défauts « donneurs » ou « accepteurs… Lire la suite

5.  MICROÉLECTRONIQUE

Écrit par : Claude WEISBUCH

Dans le chapitre " Trois moteurs : le transistor, le circuit intégré et le microprocesseur"  : … et le canal conducteur, un matériau isolant est placé entre le canal et la grille (fig. 1b). *Pour empêcher le courant de passer lorsque aucune tension n'est appliquée à la grille, des impuretés chimiques choisies sont introduites, de manière localisée, dans le semiconducteur (phénomène de « dopage » du semiconducteur). Plus précisément, on… Lire la suite

6.  PHOTOVOLTAÏQUE

Écrit par : Jean-Claude MULLER

Dans le chapitre "Élaboration du matériau"  : … un peu moins de 30 p. 100 des cellules commercialisées. Il est généralement de type p, c'est-à-dire *dopé par un élément de la colonne III du tableau périodique, essentiellement le bore, à une concentration comprise entre 10¹⁶ et 10¹⁷ atomes/cm^–3, de façon à présenter une résistivité de l'ordre de 0,1 à 1 Ω.cm. Ce… Lire la suite

7.  SEMICONDUCTEURS

Écrit par : Julien BOK

Dans le chapitre "Propriétés physiques"  : …  : la concentration et la mobilité. La variation de la conductivité avec la température et le *dopage en impuretés est régie par ces deux paramètres. Soit un semiconducteur de type n dopé avec une concentration ND = 10¹⁴ cm^—3 en donneurs. À basse température, n est pratiquement nul ; en… Lire la suite