TUNNEL DIODE

Ce sujet est traité dans les articles suivants :

1.  ESAKI LEO (1925- )

Écrit par : Bernard PIRE

… *Né le 12 mars 1925 à Ōsaka (Japon), Leo Esaki fait ses études supérieures à l'université de Tōkyō mais rejoint les laboratoires industriels avant d'obtenir son doctorat en 1959. Ingénieur chez Sony, il y développe le premier système électronique quantique : en 1958, il observe, dans des jonctions p-n de germanium très dopé, la pénétration d'un… Lire la suite

2.  HYPERFRÉQUENCES

Écrit par : Louis DUSSON

Dans le chapitre "Diodes tunnel"  : … *Découverte par Leo Esaki (1958), la diode tunnel est constituée par une jonction p-n insérée entre deux régions p et n dégénérées, donc très dopées (la concentration en impuretés dépasse 10¹⁹ cm^-3). La zone de charge d'espace est très étroite (quelques nanomètres) ; il existe dont une… Lire la suite