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CIRCUITS INTÉGRÉS

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5.   Limites de l'intégration

Les limites à l'intégration ont pour origine la conjonction de plusieurs facteurs. Certains sont physiques, d'autres sont d'ordre économique.

  Les limites physiques de l'intégration

Elles sont essentiellement liées à la réduction des dimensions des composants élémentaires.

– La longueur d'onde de la lumière (ultraviolet) servant à insoler les masques en photolithographie doit diminuer lorsqu'on réduit la taille du plus petit élément pouvant être dessiné. Depuis 2002, une longueur d'onde de 193 nm est employée pour les technologies 0,09 μm et 0,05 μm. Utiliser une longueur d'onde supérieure à la plus petite dimension pouvant être gravée requiert l'emploi de techniques fort complexes. Théoriquement, la longueur d'onde peut être au maximum deux fois plus grande que la taille minimale de ce que l'on cherche à insoler. La diminution de la longueur d'onde impose l'usage de nouveaux matériaux, à la fois pour focaliser une telle lumière et pour servir de masques permettant de la stopper.

– L'épaisseur de l'isolant de la grille du transistor ne peut diminuer en deçà de 2 nm (épaisseur correspondant à l'empilement de moins de 10 atomes). En effet, si l'isolant est trop fin, il ne joue plus son rôle et, à cause de l'effet tunnel, des courants de fuite très importants apparaissent : de très grandes quantités d'électrons franchissent alors une barrière de potentiel et le transistor n'est plus fonctionnel.

– La longueur de canal du transistor ne peut décroître en dessous d'une certaine limite (de l'ordre d'une dizaine de nanomètres) sous laquelle l'effet tunnel se produit entre les bornes du transistor (source et drain), créant d'importants courants de fuite. Cette limite est imposée en choisissant un rapport 1 000 entre le courant de fuite et le courant de fonctionnement. Le bruit thermique, en noyant les électrons du signal dans les déplacements d'électrons liés aux mouvements erratiques dus à la température du matériau, intervient également. Cependant, l'effet de ce bruit est plus théoriq […]

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« CIRCUITS INTÉGRÉS » est également traité dans :

CIRCUITS INTÉGRÉS - (repères chronologiques)

Écrit par :  Pierre MOUNIER-KUHN

Mise au point du transistor par trois chercheurs américains des Bell Telephone Laboratories – John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain –, qui recevront, pour cette invention, le prix Nobel de physique en 1956. Un transistor est un cristal de semiconducteur (germanium, silicium, etc.) sur lequel sont fixés trois contacts… Lire la suite
PREMIERS BREVETS DE CIRCUITS INTÉGRÉS

Écrit par :  Pierre MOUNIER-KUHN

À partir du milieu des années 1950, les semiconducteurs (diodes et transistors) sont venus progressivement remplacer les tubes électroniques. De plus faible dimension, ils sont très supérieurs en termes de rendement énergétique, de longévité, de fiabilité (problème crucial dans un ordinateur) et aussi de potentiel économique, puisque… Lire la suite
AUTOMATISATION

Écrit par :  Jean VAN DEN BROEK D'OBRENAN

Dans le chapitre "  Composants utilisés dans l'automatisation"  : …  à des résistances, réalisés en couches minces à l'échelle microscopique, portant le nom de *circuits intégrés. Cette technique permet une très grande « densité » des ensembles logiques. Cette densité ne cesse de croître avec les progrès des moyens de production de la microélectronique. On peut ainsi disposer, sur une seule pastille de… Lire la suite
ÉLECTRONIQUE INDUSTRIE

Écrit par :  Michel-Henri CARPENTIER

Dans le chapitre " Évolution des composants"  : …  et à jonction) par William Bradford Shockley, John Bardeen et Walter H. Brattain, et surtout par la* mise au point, en 1958, au sein de la firme Fairchild Semiconductors (par Jean Hoerni), de la technologie « planar » conduisant aux circuits intégrés contenant aujourd'hui des milliards de transistors sur le même petit composant. Le germanium, qui… Lire la suite
KILBY JACK ST. CLAIR (1923-2005)

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…  Milwaukee (Wisconsin) de 1947 à 1958, il rejoint Texas Instruments à Dallas (Texas) en 1958. C'est *pendant l'été de 1958 que Kilby conçoit et construit, à l'aide de matériels empruntés ou bricolés, le premier circuit électronique dont tous les composants sont fabriqués sur un unique échantillon semi-conducteur. Le 12 septembre, il démontre… Lire la suite
MÉMOIRES NUMÉRIQUES

Écrit par :  François PÊCHEUX

Dans le chapitre " Hiérarchie mémoire et système informatique réel"  : …  cédérom, et la clé USB constituent la base de cette hiérarchie. Sur la carte mère se trouvent les *circuits intégrés qui pilotent ces mémoires : ce sont les contrôleurs du disque dur, du cédérom et de la clé USB. On trouve aussi sur la carte mère une mémoire non volatile dite « mémoire CMOS » contenant les informations de configuration de l'… Lire la suite
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Dans le chapitre "Le circuit intégré (1958-1959)"  : …  *Le circuit intégré n'est pas un concept aussi fondamental que le transistor : son invention résulte de l'association d'éléments déjà connus, sinon maîtrisés, en réponse à un besoin pratique. Jacques Kilby a décrit son système dans un brevet et des conférences et non dans des revues scientifiques. Comment est-il né ? Dès sa mise au point, le… Lire la suite
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MICROSCOPIE

Écrit par :  Christian COLLIEXJean DAVOUSTÉtienne DELAINPierre FLEURYGeorges NOMARSKIFrank SALVANJean-Paul THIÉRY

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Médias de cet article dans l'Encyclopædia Universalis :

Circuits intégrés : transistor CMOS Circuits intégrés : silicium de type N et P Circuits intégrés : la diode et son comportement électrique Circuits intégrés : création d'un canal conducteur entre deux zones N Microprocesseur : le Pentium. 4 Circuits intégrés : diamètre de la galette de silicium Circuits.intégrés : longueur minimale du canal du transistor Circuits intégrés : longueur maximale cumulée de métal Circuits intégrés : nombre de portes logiques entre deux registres Circuits intégrés : prix au mètre carré d'une salle blanche. Circuits intégrés : coût de développement d'un procédé de fabrication de mémoire dynamique Circuits intégrés : transistor N Circuits intégrés : séquence photolithographique à résine positive Circuits intégrés : étapes de dopage du substrat P, réalisation d'un caisson N Circuits intégrés : création des zones actives Circuits intégrés : création du polysilicium Circuits intégrés : implantation des zones actives Circuits intégrés : dépôt de l'oxyde épais Circuits intégrés : percement des cuts (trous) Circuits intégrés : dépôt du métal

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