CANAL, électronique

Ce sujet est traité dans les articles suivants :

1.  HYPERFRÉQUENCES

Écrit par : Louis DUSSON

Dans le chapitre "Générateurs d'hyperfréquences à l'état solide"  : … par deux contacts ohmiques ; le semiconducteur est le siège d'un courant d'électrons constituant le *canal du transistor. La troisième électrode, appelée gate ou grille, constituée par une couche de métal déposée sur le semiconducteur, crée la barrière de Schottky. Portée à un potentiel négatif par rapport à la source, elle crée… Lire la suite

2.  MICROÉLECTRONIQUE

Écrit par : Claude WEISBUCH

Dans le chapitre " Trois moteurs : le transistor, le circuit intégré et le microprocesseur"  : … qu'en 1960 tant son utilisation demandait la maîtrise préalable des propriétés de surface. *Son principe est simple : la conductivité d'un canal semiconducteur situé entre deux électrodes, source et drain, est commandée en appliquant une tension sur une électrode de grille située au-dessus du canal. Cette tension crée un potentiel… Lire la suite