ARSÉNIURE DE GALLIUM

Ce sujet est traité dans les articles suivants :

1.  ÉLECTRONIQUE INDUSTRIE

Écrit par : Michel-Henri CARPENTIER

Dans le chapitre " Évolution des composants"  : … et l'arsenic – permettent de réaliser des circuits intégrés entre 1974 et 1976, avec à la fois, pour* les premiers circuits intégrés en arséniure de gallium, des propriétés de grande rapidité qui leur permettent des applications en micro-ondes, et des possibilités d'utilisation en opto-électronique (réalisation de petits lasers utilisés par exemple… Lire la suite

2.  GALLIUM

Écrit par : Georges KAYAS

… *De Gallia, France Symbole chimique : Ga Numéro atomique : 31 Masse atomique : 69,72 Point de fusion : 29,78 ⁰C Point d'ébullition : 2 403 ⁰C Densité (à 29,6 ⁰C) : 5,904. Métal très facilement liquéfiable, découvert par Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran (1875) par son spectre, isolé, étudié aussitôt après et… Lire la suite

3.  HYPERFRÉQUENCES

Écrit par : Louis DUSSON

Dans le chapitre "Générateurs d'hyperfréquences à l'état solide"  : … est constante, et la zone 2, où la vitesse d'entraînement des porteurs reste constante. Avec l'*arséniure de gallium dopé avec des impuretés de type n, le processus est sensiblement le même ; toutefois, la zone 2 est moins importante que la zone 1 et la mobilité des charges est de cinq à six fois supérieure à celle du silicium. Si l'… Lire la suite

4.  PHOTOVOLTAÏQUE

Écrit par : Jean-Claude MULLER

Dans le chapitre "Composés III-V"  : … des épaisseurs moindres. Le record de rendement de conversion, pour une simple homojonction à base *d'arséniure de gallium (GaAs), est de 21,7 p. 100 hors atmosphère et de 28,7 p. 100 sous forte concentration d'un rayonnement direct (200 fois AM1,5). Il est encore plus élevé pour des structures doubles, « tandem » ou « triple » (la première… Lire la suite

5.  SEMICONDUCTEURS

Écrit par : Julien BOK

Dans le chapitre "Semiconducteurs"  : … de Mendeleiev et d'un atome de la colonne V (cinq électrons de valence) : ce sont, par exemple, *l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphate de gallium (GaP), le phosphure d'indium (InP). Ces composés ont donc aussi huit électrons par ensemble atome III-atome V et sont donc isoélectriques de liaison Si-Si. La bande de valence est entièrement… Lire la suite